分享外延硅晶片的制备方法及外延硅晶片的制作方法

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外延硅晶片的制备方法及外延硅晶片的制作方法
外延硅晶片的制备方法,具备:在添加有硼且电阻率为100mΩ·cm以下的硅晶片上使外延膜生长的外延膜形成工序(步骤S2),和在低于900℃的温度下对所述外延硅晶片进行热处理的热处理工序(步骤S3)。

外延括晶片的制备方法及外延括晶片
技术领域
[0001] 本发明设及外延娃晶片的制备方法及外延娃晶片。

[0002] W往,已知在切割单晶娃得到的娃晶片的表面使外延膜进行气相生长而得的外延 晶片。外延膜是通过利用气相生长的CVD来成膜,理论上在外延膜内无氧,实际上也处于氧 浓度为零或几乎不存在的状态。
[0003] 如上所述,在外延膜中的氧浓度低的情况下,例如有时在器件方法等的热处理中 在外延膜中产生位错,且该位错会扩展。因此,进行了用于防止运样的位错的扩展的研究 (例如参照专利文献1)。
[0004] 专利文献1中记载:发现了外延膜表面的氧浓度与位错的产生有关,通过将该外延 膜表面的氧浓度设定为1.0X l〇n~12X 1〇υ原子/cm3 (ASTM F-121,1979),可防止位错的扩 展。还记载了:作为具有运样的特性的外延晶片的制备方法,在外延膜的形成工序后进行在 900°CW上且娃的烙点W下的热处理溫度下处理的氧浓度设定热处理工序。通过在形成外 延膜后实施如上所述的高溫下的热处理,在娃晶片中固溶的氧热扩散至外延膜,从而外延 膜的氧浓度上升。
[0005] 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2010-141272号公报。



[0006] 发明要解决的课题 可是,在半导体器件的集成电路工作的情况下,产生被称为所谓的円锁效应的现象,该 现象因产生的游离电荷使不希望的寄生晶体管工作而产生。若产生円锁效应现象,则半导 体器件不再正常工作,从而产生为了使其恢复至正常状态而必须切断电源运样的问题。 [0007]作为円锁效应的对策,应用p/p+外延晶片。p/p+夕t'延晶片是在局浓度地含有棚的低 电阻的娃晶片(P+娃晶片)的表面使外延膜生长而得到的晶片。除了防止上述円锁效应现象 的对策W外,P/P+外延晶片还可在使用沟槽结构的电容器的情况下防止沟槽周边的电压施 加所伴有的耗尽层的扩展等,实现器件功能的提高,所W得到广泛应用。
[000引但是,在对p/p+外延晶片实施上述专利文献1中记载的高溫热处理的情况下,不仅 娃晶片中固溶的氧,而且娃晶片中的棚也会热扩散至外延膜,有外延膜的电阻率变化而不 再满足所希望的电阻率范围之虞。
[0009] 本发明的目的在于提供:即使在使用低电阻娃晶片的情况下也不使外延膜的电阻 率变化,且能够抑制位错的扩展的外延娃晶片的制备方法及外延娃晶片。
[0010] 解决课题的手段 本发明人反复深入研究,发现:在使用低电阻娃晶片的外延娃晶片中,通过控制在外延 膜形成工序后实施的热处理工序的热处理条件,可通过棚导致的氧的增速扩散效果提高外 延膜的平均氧浓度,且抑制棚向外延膜的扩散,从而不会使外延膜的电阻率变化。
[0011] 本发明基于如上所述的见解而完成。
[0012] 目P,本发明的外延娃晶片的制备方法是在娃晶片的表面设置有外延膜的外延娃晶 片的制备方法,其特征在于,具备:在添加有棚且电阻率为ΙΟΟπιΩ . cmW下的所述娃晶片上 使所述外延膜生长的外延膜形成工序,和在低于900°C的溫度下对所述外延娃晶片进行热 处理的热处理工序。
[001引根据本发明的外延娃晶片的制备方法,使用电阻率为ΙΟΟπιΩ . cmW下的低电阻娃 晶片,且在低于900°C的溫度下进行热处理工序,所W可产生棚导致的氧向外延膜的增速扩 散作用。由此,可充分地提高外延膜的平均氧浓度,从而制备能够抑制位错的扩展的外延娃 晶片。另外,由于在低于900°C的溫度下进行热处理工序,所W也可抑制娃晶片中的棚热扩 散至外延膜。
[0014] 在本发明的外延娃晶片的制备方法中,优选实施所述热处理工序前的所述娃晶片 的氧浓度为8X10"原子/cm3W上且18X10"原子/cm3 (ASTM F-121,1979似下,所述外延 膜的膜厚度为0.5μπι W上且8. Ομπι W下。
[0015] 在运里,确认了:即使氧从娃晶片扩散至外延膜,在扩散前后衬底氧浓度(娃晶片 的氧浓度)也几乎不变。
[0016] 通过使用将衬底氧浓度设定为上述范围的娃晶片,可通过只控制在外延膜形成工 序后实施的热处理工序的热处理溫度的简单方法,使不产生位错的扩展的量的氧扩散至外 延膜。
[0017] 另外,若外延膜的膜厚度在上述范围内,则通过充分地提高外延膜的平均氧浓度, 可防止位错的扩展。
[0018] 在本发明的外延娃晶片的制备方法中,优选实施所述热处理工序后的所述外延膜 的平均氧浓度为1.7X10"原子/cm3 (ASTM F-121,1979)?上。
[0019] 若外延膜的平均氧浓度在上述范围内,则可防止位错的扩展。
[0020] 在本发明的外延娃晶片的制备方法中,优选进行所述热处理工序,使得:将实施所 述外延膜形成工序前的所述娃晶片的氧浓度计为X ( X 1〇υ原子/cm3),将实施所述外延膜 形成工序前的所述娃晶片的电阻率计为Y (Ω .cm),将所述外延膜的膜厚度计为Z (μπι), 将所述热处理的溫度计为Τ rC),且将所述热处理的时间计为t (min),则满足W下式(1):
通过只是在上述式(1)中代入娃晶片的氧浓度、娃晶片的电阻率、外延膜的膜厚度和热 处理的溫度并经计算求得热处理的时间的简单方法,可制备能够抑制位错的扩展的外延娃 晶片。
[0021] 另外,本发明的外延娃晶片是在娃晶片的表面设置有外延膜的外延娃晶片,其特 征在于,所述娃晶片添加有棚,且电阻率为lOOmQ . cmW下,所述外延膜的平均氧浓度为 1.7X10"原子/cm] (ASTM F-121,1979)?上。
[0022] 根据本发明的外延娃晶片,通过确保外延膜的平均氧浓度为至少1.7 X 1〇υ原子/ cm3W上,可在器件方法的热处理过程中充分地抑制位错的扩展。
[0023] 在本发明的外延娃晶片中,优选在测定深度方向的氧浓度谱时,在所述娃晶片与 所述外延膜的界面附近,可观察到局部的氧浓度上升谱。
[0024] 测定深度方向的氧浓度谱,若在娃晶片与外延膜的界面下有时简称为"界面") 附近观察到局部的氧浓度上升谱,则可确认产生棚导致的氧向外延膜的增速扩散作用,确 保外延膜的平均氧浓度至能够抑制位错的扩展的程度。
[0025] 在本说明书中,"局部的氧浓度上升谱"指在氧浓度的深度微分(原子/cm4)的深度 谱中在界面附近具有2X102i (原子/cm4)W上的峰。在运里,氧浓度的深度微分(原子/cm4) 的深度谱可通过测定外延娃晶片的深度方向的氧浓度谱(SIMS测定)来得到。另外,界面附 近指在深度方向从在外延膜一侧距界面1WI1的位置起至在衬底一侧距界面0.5WI1的位置为 止的范围。

[0026] 图1是表示本发明的一个实施方式的外延娃晶片的制备方法的流程图。
[0027] 图2是表示上述一个实施方式的外延娃晶片的截面图。
[00%]图3是表示实验1的在850°C下实施热处理的实例的氧浓度的深度谱的图。
[0029] 图4是表示实验2的在900°C下实施热处理的实例的氧浓度的深度谱的图。
[0030] 图5是表示实验1的在850°C下实施热处理的实例的氧浓度的深度微分的深度谱的 图。
[0031] 图6是表示实验2的在900°C下实施热处理的实例的氧浓度的深度微分的深度谱的 图。
[0032] 图7是表示实验3的棚浓度的深度谱的图。
[0033] 图8是表示实验4的应力负荷试验结果的图。
[0034] 图9是表示在实验5中使用电阻率为5mΩ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验结 果的图。
[0035] 图10是表示在实验5中使用电阻率为lOmQ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验 结果的图。
[0036] 图11是表示在实验5中使用电阻率为lOOmQ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验 结果的图。
[0037] 图12是表示在实验6中使用电阻率为5πιΩ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验结 果的图。
[0038] 图13是表示在实验6中使用电阻率为lOmQ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验 结果的图。
[0039] 图14是表示在实验6中使用电阻率为lOOmQ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验 结果的图。
[0040] 图15是表示在实验7中使用电阻率为5πιΩ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验结 果的图。
[0041] 图16是表示在实验7中使用电阻率为lOmQ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验 结果的图。
[0042] 图17是表示在实验7中使用电阻率为100mΩ . cm的娃晶片的实例的应力负荷试验 结果的图。
[0043] 图18是表示实验8的应力负荷试验结果的图。
[0044] 图19是表示实验9的应力负荷试验结果的图。

[0045] W下参照本发明的实施方式。
[0046] 图1是表示外延娃晶片的制备方法的流程图。图2是表示外延娃晶片的截面图。
[0047] 如图1所示,在图2所示的外延娃晶片1的制备方法中,首先进行娃晶片准备工序 (步骤S1)。
[004引在该娃晶片准备工序中,包括准备娃晶片2的所有工序,该娃晶片2是将通过CZ法 或MCZ (外加磁场Czochra 1 ski)法等提拉的单晶锭,通过包括切片、倒角、磨削、研磨、蚀刻、 抛光、清洗等的需要的各工序,对表面21进行镜面抛光而得到。此时,娃晶片2的氧浓度优选 为8 X 1017原子/cm3W上且18 X 1017原子/cm3 (ASTM F-121,1979) W下。若娃晶片的氧浓度 在上述范围,则可在下述热处理工序中将外延膜的氧浓度提高至所希望的范围。
[0049] 另外,娃晶片2添加有棚,使得其电阻率被调整为lOOmQ . cmW下,优选5πιΩ . cm W上且ΙΟΟι?Ω · cmW下。
[0050] 接着,进行在娃晶片2上形成外延膜3的外延膜形成工序(步骤S2)。
[0051] 在未图示的外延装置的反应容器内放置娃晶片2,使反应容器内的溫度从室溫升 溫至目标溫度。目标溫度优选设定为1050°C~1280°C。若反应容器内的溫度达到上述目标溫 度,则在娃晶片2的表面21上使外延膜3生长。例如,在反应容器内引入Ξ氯硅烷等生长气 体,在该生长气体气氛中进行外延膜3的成膜。需说明的是,在该成膜中,可添加棚、憐等需 要的渗杂剂。
[0052] 外延膜形成工序优选进行至外延膜3的膜厚度T为0.5μπι W上且8. Ομπι W下。然后, 若将外延膜3成膜至上述膜厚度Τ,则将外延娃晶片1的溫度从使外延膜3生长时的溫度降溫 至室溫。
[0053] 接着,进行对外延娃晶片1进行热处理的热处理工序(步骤S3)。在该热处理工序 中,控制热处理条件,使得溫度低于900°C。
[0054] 另外,优选在上述溫度范围内控制热处理时间。
[0055] 具体而言,控制热处理的时间,使得:将实施外延膜形成工序前的娃晶片2的氧浓 度计为X (Xl〇i7原子/cm3),将实施外延膜形成工序前的娃晶片2的电阻率计为Y (Ω . cm),将外延膜3的膜厚度计为Z (μπι),将热处理的溫度计为T rC),且将热处理的时间计为 t (min),则满足W下式(1):
通过使热处理的时间为由上述式(1)得到的t的值W上,可制备将外延膜3的平均氧浓 度调整为1.7 X l〇n原子/cm3 (ASTM F-121,1979) W上的无位错的扩展的外延娃晶片1。
[0056] [实施方式的作用效果] 如上所述,上述实施方式可发挥如下所述的作用效果。
[0057] (1)由于使用电阻率为ΙΟΟπιΩ . cmW下的低电阻娃晶片,且在低于900°C的溫度 下进行热处理工序,所W可产生棚导致的氧向外延膜的增速扩散作用。由此,可充分地提高 外延膜的平均氧浓度,从而制备能够抑制位错的扩展的外延娃晶片。
[005引(2)由于在低于900°C的溫度下进行热处理工序,所W也可抑制娃晶片中的棚热 扩散至外延膜。
[0059] (3)通过只是在上述式(1)中代入娃晶片2的氧浓度、娃晶片2的电阻率、外延膜3 的膜厚度和热处理的溫度并经计算求得热处理的时间的简单方法,可制备能够抑制位错的 扩展的外延娃晶片1。
[0060] [其它实施方式] 需说明的是,本发明并不只限定于上述实施方式,可在不偏离本发明的要点的范围内 进行各种改良及设计的变更等。
[0061] 目P,在热处理工序中,可不使用基于上述式(1)求得的热处理时间,而基于在多种 条件下进行的实验,在低于900°c的溫度范围内设定热处理条件,使得可制备将外延膜3的 平均氧浓度调整为1.7X10"原子/cm3 (ASTM F-121,1979)?上的外延娃晶片1。
[0062] 此外,娃晶片2的氧浓度可低于8X10"原子/cm3,或超过18X10"原子/cm 3 (ASTM F-m,1979)。 实施例
[0063] 接着,通过实施例更详细地说明本发明,但本发明不因运些实例而受到任何限定。
[0064] [实验U 使用CZ法(Czoc虹al ski法)由渗杂有棚的娃烙体制备单晶锭,从该单晶锭切割娃晶片。 娃晶片的氧浓度m下有时称为"衬底氧浓度")为11X10"原子/cm3。娃晶片的电阻率m下 有时称为"衬底电阻率")为5πιΩ .cm。另外,也准备衬底电阻率为10Ω .cm的娃晶片。
[0065] 接着,将娃晶片的(100)面作为镜面抛光面,在该镜面抛光面使膜厚度下有时 称为"外延膜厚度")为3WI1的外延膜生长。外延膜的生长在Ξ氯硅烷等气体气氛中115(TC左 右的溫度下进行。
[0066] 然后,对于结束外延膜的生长的晶片,实施在非氧化性气氛中在85(TC下保持60分 钟的热处理工序,得到外延娃晶片。
[0067] 需说明的是,也准备不实施热处理的外延娃晶片。
[0068] 对于制备的外延娃晶片,进行应力负荷试验。
[0069] 首先,从外延娃晶片切割长度为3cm、宽度为1.5cm的测定用样品。接着,在测定用 样品的表面(外延膜的表面),用微型维氏硬度计施加5g的负荷并保持10秒钟,引入深度为3 WI1的压痕。然后,在支点间距离为2cm、试验溫度为800°C的条件下对测定用样品实施3点弯 曲试验。此时,施加5N的负荷,使拉伸应力作用在测定用样品的表面一侧。
[0070] 然后,对于冷却至室溫的测定用样品,实施2皿的光蚀刻,使用光学显微镜测定从 在外延膜上引入的压痕产生的在外延膜表面观察到的位错坑的有无。测定结果示于W下表 1〇
[0071] 另外,在制备的外延娃晶片中,对于实施了热处理工序的晶片,测定氧浓度的深度 谱。氧浓度的测定通过SIMS (二次离子质谱仪)来进行。该深度谱示于图3。
[0072] [表1]
如表1所示,在形成外延膜后实施热处理的实例中,若衬底电阻率为5m Ω . cm,则可知: 无来自压痕的位错的扩展,外延膜的强度提高。另一方面,若衬底电阻率为10 Ω . cm,则可 知:确认有自压痕的位错的扩展,即使实施相同的热处理溫度下的热处理工序,外延膜的强 度也低。
[0073] 需说明的是,对于不实施热处理工序的实例,可知:即使是任一种电阻率,也可确 认有位错的扩展,外延膜的强度低。
[0074] 如图3所示,若对两者进行比较,则可知:虽然在衬底电阻率为5πιΩ . cm的实例中 可观察到衬底的氧浓度减少的谱,但是其是外延膜的氧浓度局部地上升的谱。
[0075] [实验 2] 将热处理溫度变更为900°C,除此之外,在与上述实验1相同的条件下进行外延娃晶片 的制备,在制备的外延娃晶片中,对于实施了热处理工序的晶片,测定氧浓度的深度谱。该 深度谱示于图4。
[0076] [表 2]
如图4所示,若热处理溫度为900°C,则在低电阻衬底的外延膜的氧浓度谱中无法确认 有局部的氧浓度的上升谱。
[0077] 接着,在上述实验1、实验2中制备的外延娃晶片中,对于实施了热处理工序的晶 片,测定氧浓度的深度微分(原子/cm4)的深度谱。该深度谱示于图5、图6。
[007引如图5所示,在850°C下实施热处理的实验1中,在使用衬底电阻率为5πιΩ . cm的娃 晶片的实例中,在界面附近观察到局部的氧浓度的深度微分的深度谱的峰。该局部的氧浓 度的深度微分的深度谱的峰表示在界面附近氧浓度局部地上升,推测其印证了:在上述表1 中得到无自压痕的位错的扩展且外延膜的强度高的结果。
[0079] 另一方面,在图5所示的使用衬底电阻率为10 Ω . cm的娃晶片的实例、图6所示的 在900°C下实施热处理的实验2中,任一实例均可观察到宽的峰。
[0080] [实验引 将热处理溫度变更为1000°c,除此之外,在与实验1相同的条件下制备外延娃晶片。另 夕h也与实验1相同地在850°c的热处理溫度下制备外延娃晶片。对于制备的外延娃晶片,测 定棚浓度的深度谱。棚浓度的深度谱通过SIMS (二次离子质谱仪)来进行。该深度谱示于图 7。
[0081] 如图7所示,可确认:在850°C下实施热处理的实例中在外延膜一侧棚的扩散少,相 比之下,在l〇〇〇°C下实施热处理的实例中在外延膜一侧棚大量地扩散。
[00剧[实验4] 将外延膜厚度、衬底氧浓度和衬底电阻率设为W下表3的条件,并在890°C的热处理溫 度下变化热处理时间,除此之外,在与实验1相同的条件下进行外延娃晶片的制备和应力负 荷试验,测定在外延膜表面观察到的位错坑。测定结果示于W下表3。另外,应力负荷试验结 果示于图8。需说明的是,图8中的曲线是表示由上述式(1)导出的有无位错扩展的界限的近 似曲线。
[0083] [表 3]
如表3所示,若热处理溫度为890°C,则可知:无自压痕的位错的扩展,外延膜的强度提 局。
[0084] 另外,如由图8所知,位错扩展的有无 W近似曲线为界限,可发现下述倾向:若热处 理时间比该近似曲线短,则产生位错的扩展。
[0085] [实验引 将外延膜厚度、衬底氧浓度和衬底电阻率设为W下表4的条件,并在850°C的热处理溫 度下变化热处理时间,除此之外,在与实验1相同的条件下进行外延娃晶片的制备和应力负 荷试验,测定在外延膜表面观察到的位错坑。
[0086] 另外,在使用衬底电阻率为5πιΩ . cm的娃晶片的实例中,测定外延膜的平均氧浓 度。测定结果示于W下表4。另外,应力负荷试验结果示于图9~图11。需说明的是,图9~图11 中的曲线是由上述式(1)导出的近似曲线。
[0087][表 4]

[实验6] 将外延膜厚度、衬底氧浓度和衬底电阻率设为W下表5的条件,并在800°C的热处理溫 度下变化热处理时间,除此之外,在与实验1相同的条件下进行外延娃晶片的制备和应力负 荷试验,测定在外延膜表面观察到的位错坑。测定结果示于W下表5。另外,应力负荷试验结 果示于图12~图14。需说明的是,图12~图14中的曲线是由上述式(1)导出的近似曲线。
[008引[表5]
[实验7] 将外延膜厚度、衬底氧浓度和衬底电阻率设为W下表6的条件,并在750°C的热处理溫 度下变化热处理时间,除此之外,在与实验1相同的条件下进行外延娃晶片的制备和应力负 荷试验,测定在外延膜表面观察到的位错坑。测定结果示于W下表6。另外,应力负荷试验结 果示于图15~图17。需说明的是,图15~图17中的曲线是由上述式(1)导出的近似曲线。
[0089][表 6]

[实验8] 将外延膜厚度设为2μπι,并将衬底氧浓度、衬底电阻率、热处理溫度和热处理时间设为 W下表7的条件,除此之外,在与实验1相同的条件下制备外延娃晶片。另外,将微型维氏硬 度计的负荷设为3g并将压痕深度设为2μπι,除此之外,在与实施例1相同的条件下进行应力 负荷试验,测定在外延膜表面观察到的位错坑。测定结果示于W下表7。另外,应力负荷试验 结果示于图18。需说明的是,图18中的曲线是由上述式(1)导出的近似曲线。
[0090] [表7]
[实验9] 将外延膜厚度设为4μπι,并将衬底氧浓度、衬底电阻率、热处理溫度和热处理时间设为 W下表8的条件,除此之外,在与实验1相同的条件下制备外延娃晶片。另外,将微型维氏硬 度计的负荷设为7g并将压痕深度设为4μπι,除此之外,在与实施例1相同的条件下进行应力 负荷试验,测定在外延膜表面观察到的位错坑。测定结果示于W下表8。另外,应力负荷试验 结果示于图19。需说明的是,图19中的曲线是由上述式(1)导出的近似曲线。
[0091] [表 8]
由表4~表8及图9~图19可知,位错扩展的有无 W近似曲线为界限,发现有下述倾向:若 热处理时间比该近似曲线短,则产生位错的扩展。
[0092] 另外,由表4所示的位错扩展的有无与外延膜的平均氧浓度的关系可导出:若外延 膜的平均氧浓度为1.7 X l〇n原子/cm3 W上,则可抑制位错扩展。
[0093] [实验 10] 对于实验5~实验9中制备的外延娃晶片,进行了模拟半导体器件的制备方法的热处理 (在1000°C下保持1小时,在800°C下保持2小时,在650°C下保持3小时,在900°C下保持1小 时)。热处理的气氛为化与化的混合气氛(W3质量%的比例混合化)。
[0094] 对于在上述实验5~实验9中应力负荷试验的结果为无位错的扩展的实例,就在该 实验10中的器件热处理后的强度试验而言,也相同地得到无位错的扩展的结果。
[00巧]标记说明 1…外延娃晶片 2…娃晶片 3…外延膜 21…娃晶片的表面。

1. 外延硅晶片的制备方法,其是在硅晶片的表面设置有外延膜的外延硅晶片的制备 方法,其特征在于,具备: 在添加有硼且电阻率为ΙΟΟπιΩ · cm以下的所述硅晶片上使所述外延膜生长的外延膜 形成工序,和 在低于900 °C的温度下对所述外延硅晶片进行热处理的热处理工序。2. 权利要求1的外延硅晶片的制备方法,其特征在于, 实施所述热处理工序前的所述硅晶片的氧浓度为8 X1017原子/cm3以上且18 X1017原 子/cm3 (ASTM F-121,1979)以下, 所述外延膜的膜厚度为〇.5μηι以上且8.0μηι以下。3. 权利要求1或2的外延硅晶片的制备方法,其特征在于, 实施所述热处理工序后的所述外延膜的平均氧浓度为1.7 Χ1017原子/cm3 (ASTM F-121,1979)以上。4. 权利要求1~3中任一项的外延硅晶片的制备方法,其特征在于, 进行所述热处理工序,使得: 将实施所述外延膜形成工序前的所述硅晶片的氧浓度计为X ( X 1〇17原子/cm3), 将实施所述外延膜形成工序前的所述硅晶片的电阻率计为Υ (Ω · cm), 将所述外延膜的膜厚度计为Ζ (μπι), 将所述热处理的温度计为T (°C),且 将所述热处理的时间计为t (min), 则满足以下式(1): t彡3·71Χ 1056ΧΧ-7.03XY0.27XZ 3.34XT-16.7 ……(1)〇5. 外延硅晶片,其是在硅晶片的表面设置有外延膜的外延硅晶片,其特征在于, 所述硅晶片添加有硼,且电阻率为ΙΟΟπιΩ · cm以下, 所述外延膜的平均氧浓度为1.7X1017原子/cm3 (ASTM F-121,1979)以上。6. 权利要求5的外延硅晶片,其特征在于, 在测定深度方向的氧浓度谱时,在所述硅晶片与所述外延膜的界面附近,可观察到局 部的氧浓度上升谱。
C30B25/20GK106062926SQ201480076370
2016年10月26日
2014年12月19日
鸟越和尚, 小野敏昭
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